Разговор плавно изменил русло.
Но если затронули тему параллельного включения транзисторов, то, все-таки, лучше отталкиваться от теоретических основ, а не от сравнения конкретных моделей усчилителей. Как по мне, с точки выяснения сути вопроса, это сравнение, ни какой ценности не имеет – усилители создавались для разных целей, разными людьми, и с разной глубиной компромиссов.
Чисто теоретически, параллельное включение, имеет один главный недостаток – изломанность суммарной проходной характеристики. С этим можно бороться - как подбором компонентов, так и схемотехнически. В принципе, в некоторых ситуациях, без параллельного включения просто не обойтись. И есть для транзисторов «золотая область», где удается получить наилучшие параметры кристалла, и два параллельных транзистора будут иметь лучшие параметры, чем один более мощный. И еще не следует забывать, что беря в руки мощный MOSFET, например, вы не знаете, сколько структур там включено параллельно (хотя они и получены в одном технологическом цикле).
Так что спор, в общем, беспредметный – нужен анализ каждого конкретного устройства.

С уважением.