(20-10-2012 00:53)WoWaN писал(а):  2006 ОАО «Светлана» совместно с ФГУП НПП «Исток» впервые в России создали и испытали прототип мощного транзистора на наногетероструктуре AlGaN/GaN на рабочую частоту до 10 ГГц с удельной мощностью 3,8 Вт/мм.

2007 Созданы первые отечественные энергосберегающие полупроводниковые светильники белого света мощностью 10 Вт и 20 Вт для использования на железнодорожном транспорте, строительстве и ЖКХ на нитридных наногетероструктурах собственного производства.

2008 Организовано серийное производство и начаты поставки в интересах отрасли эпитаксиальных материалов в системе арсенида галлия.

2009 ОАО «Светлана» совместно с ОАО «ВНИИРА» и ОАО «ОКБ «Планета» разработан первый отечественный широкополосный усилитель на наногетероэпитаксиальных гетероструктурах нитрида галлия на диапазон частот 50-3500 МГц с коэффициентом усиления 19 дБ и выходной мощностью 2 Вт.

Да вообше не чему