Нет. Объемный заряд связан с рекомбинацией и временем жизни неосновных носителей в области базы диода. А барьерная емкость в области базы, это отдельная сущность. В принципе, оба параметра влияют на быстродействие диода и величину реверсного тока, но по-разному. В зависимости от конструкции диода, может преобладать какая-то составляющая. Понимаете, процесс отпирания и запирания диода, довольно сложная штука, состоит из нескольких этапов, и характер переходного процесса сильно меняется от соотношения этих составляющих (заряд – емкость). Кроме того, там еще присутствуют неочевидные процессы, связанные с накоплением объемного заряда во времени и модуляции прямого сопротивления диода. Объяснить это коротко, довольно проблематично, проще найти литературу и почитать.
В целом, есть определенная тенденция, чем меньше уровень инжекции и больше емкость – тем плавнее происходят процессы включения и выключения, и диод меньше «шумит».

С уважением.

P.S. Две маленькие ремарки:

Насчет научить – учитесь, а если нет внутреннего желания учиться, то научить невозможно.

И любителям все делать только на слух и на глаз – еще не видел и не слышал ничего толкового созданного таким образом. Знаете миф про Сизифа, так это из той же оперы.