я просил вас аргументировать, но видимо ві способні только к віводам кто, что знает

Фактическая крутизна маломощных дискретных транзисторов измеряется единицами или десятками мСм2. Не зависящая от выбора рабочей точки величина K — удельная крутизна полевого транзистора — определяется геометрическими размерами канала, удельной ёмкостью затвора и подвижностью носителей заряда в канале. Последняя, в свою очередь, убывает с ростом температуры кристалла. Относительный коэффициент крутизны — удельная крутизна условного транзистора, ширина и длина затвора которого равны — составляет примерно 20…60 мкА/В2 у дискретных n-канальных транзисторов и 100…120 мкА/В2 у низковольтных интегральных n-канальных транзисторов. Относительный коэффициент крутизны p-канальных приборов примерно в 2…3 раза ниже из-за меньшей подвижности носителей заряда в канале.
Это называется просто?в пред постах я написал что то не так?

В биполяре всё тупо - 1 делить на 40 умноженное на ток.