(09-08-2020 08:41)rotla писал(а):  А ты посчитай оффсет для первой схемы, и сравни со второй

Если брать второй ОУ, то даже симульнул, для наглядности.
В стоковом варианте оффсет 7,9мВ, а в твоём 18,5мВ. То есть, соотношение такое, как я насчитал вчера.
Если брать первый каскад, то за счёт применения ОУ на полевиках, оффсет будет ниже. Но, не нужно забывать, что TI рисовали схему не вообще, а конкретно под свою микру. И в твоём случае, общий выигрыш по оффсету, как раз таки не схемотехнический, а за счёт применения более подходящего ОУ. В равных условиях(при использовании одинаковых ОУ) оффсет у твоей схемы будет хуже.
И опять же, там речь была не только об оффсете, но и об росте шума из-за применения более высокоомных резисторов.
Нужно было идти до конца и поставить во втором каскаде тоже полевую ОУ. Так бы закрылся вопрос и с оффсетом и с токовым шумом.
А так схема получилась достаточно компромиссной.
По хорошему и в первом и в твоём варианте, на выходе нужно ставить разделительный конденсатор.

ЗЫ И это.. Мне кажется, что я не давал повода для хамства.