(19-12-2012 10:29)VladimirNB писал(а):  roziskulov Скажите честно, кто вы по профессии? Чем в жизни занимаетесь?

Добрый вечер уважаемые господа форумчане.


У меня три высших образования два электротехнических и одно приборостроительное (два из них "красные", для подтверждения могу скинуть подтверждающие документы на меил специально для Вас VladimirNB). Работаю ведущим инженером в НАНовском институте (параллельно обучаюсь в аспирантуре), до этого работал в проектной организации (все проекты работают).

Немножко информации для размышления.

Режим работы каскада А
   
Единственный способ завести этот каскад в клиппинг это подать на его вход сигнал с уровнем превышающим предельно допустимый
   
Теперь рассмотрим режим Б:
С незначительным током покоя
   
со средним
   
и с большим
   
А вот результаты физического эксперимента проведенного мною. Транзистор КТ903Б, резюк эспэшник 4,7 Ом, напруга питалова 10 В, входной сигнал - однополупериодное напряжение
   
   
   
   
Менялся только ток покоя каскада при равных остальных условиях. Как можно наблюдать результаты опыта совпадают с результатами графических построений и ни какой теории это не противоречит. Данный опыт может повторить любой "школьник" и лично убедиться в том, что ток покоя, так же как и напряжение питания каскада, влияет на максимальное значение выходного сигнала (имееться в виду переменная составляющая). Режим Б не используется или используется редко (а на практике он используется в каскаде АБ, где не значительные токи смещения (до 15%)) поэтому на это мало кто обращал внимание или вообще задумывался об этом.

Теперь режим АБ. В этом режиме ВАХ транзисторов "стыкуются" в рабочих точках (в противном случае на выходе каскада будет постоянка).
При токе покоя 15%
   
и при том же уровне сигнала и при остальных равных условиях, но уже при 35% тока покоя
   
как можно видеть рабочий участок ВАХ каждого из транзисторов сократился и, как следствие, клиппинг начинается при меньшем значении входного сигнала. Не с какой теорией это не расходиться.
По своей сути режим АБ это два совместно работающих Б каскада, физическую модель поленился клепать, так как результат будет идентичен результату полученному на Б каскаде. Насиловать уселок балуясь его током покоя тоже не буду - жалко перегреется.

Теперь о токе покоя который, я еще раз повторюсь, не протекает через нагрузку (касательно АБ режима).
Ток покоя на ХХ (пропорционален падению напряжения на балластных резисторах):
   
как можно видеть через нагрузку ни какой ток не протекает (спасибо ООС) и тоже падение напряжения (ток) на балластный резисторах, но уже в рабочем режиме
   
комментировать тут собственно говоря и не чего результат "на лице" (сумма тока покоя и тока нагрузки). Отмечу только то, что падение напруги на балластных резисторах ни когда не снижаться ниже падения напруги на них от протекания через них тока покоя ни в каких режимах, то есть ток покоя - константа.
Напряжение (или ток) на нагрузке
   
Лично я не наблюдаю ни каких токов покоя. Но не об этом. Воспользуемся вторым законом Кирхгофа и отнимем от падения напруги на балластных сопротивлениях падение напруги на них вызванное прониканием через них тока нагрузки (в соответствующем масштабе конечно) - получим прямую линию как на ХХ, что и следовало доказать. Ток покоя течет только через транзисторы, а не через нагрузку. И опять же ни с какой теорией это суждение не расходиться. (Опять же, любой может этот опыт промоделировать или же воспользоваться УМЗЧ класса АБ снять осциллограммы и убедиться в этом.)

Теперь касательно КПД, якобы ни коем образом не зависящим от тока покоя каскада АБ. Это ошибочное суждение хотя бы потому, что на ХХ КПД=0 ни какой ток нагрузки не протекает, а транзисторы уже греются.
   
   
Как можно видеть от величины тока покоя зависит не только КПД каскада, но его рабочий диапазон мощностей, о чем я ранние неоднократно говорил (моделирование проводилось для токов покоя 10, 25 и 50 % при прочих равных условиях).

С уважением

P.S. Обязательно отисщутся индивидуумы которые назовут вышеизложенное некорректным (причем не назовут в чем именно эта некорректность). Несмотря даже на тот факт, что аналитические, графические, экспериментальные данные на их удивление совпадают с результатами комп. моделирования. И даже более того я эти результаты предугадывал до того как они были получены (прям Нострадамус) или же я обладаю феноменальною возможностью умственно влиять на результаты компьютерного моделирования и на кристалл транзистора (проще говоря подтасовка). Что бы это опровергнуть могу выслать файл с программой на меил (адреса шлите в лику). Проревете меня на "вшивость" за одно поищете некорректности.

Приношу искренние извинения уважаемому Eugene.

С уважением