(23-02-2015 21:54)SVS писал(а):  Согласен на все 100, более универсальная схема.

давайте разберемся

дифсопротивление "умощненного стабилитрона" примерно равно дифсопротивлению зенера деленное на бетта выходного транзистора.

по приведенной мной схеме вслучае применения скажем
1n5250 (20 вольт) справочное значение - Zzt=25 Ом,
если мы применим транзистор с бетта=100 то между землей и катодом будет 0,25 Ома, этот расчет на в данном случае не интересует, просто показывает конечную цифру.

по Вашей схеме роль зенера выполняет транзистор VT1 дифсопротивление которого определяется цепочкой R2+R3.
при бетта VT1= 400 минимальное дифсопротивление будет 2,7к/400=6,75 Ом это минимум
или (2,7к+4,7к)/400=18,5 Ом это максимум.

что ж - неплохо и даже лучше.

но если учесть шум источника, то шум зенера по первой схеме умножаться ни ничто не будет.

в вашем случае изначальный шум элементов (D1, R1, R2, R3) будет помножен на туже бетта VT1, это будет расплатой за универсальность.

впринципе цепоку R2+R3 можно зашунтировать емкость.
тогда, упрощая, частота фильтра будет определятся из емкости конденстора и сопротивления R1.
для среза на частоте 1 Гц по -3дБ при R1=1 кОм нужно будет применить емкость 160 мкФ высокого качества, иначе опять таки будет шуметь.

не претендую на истину в последней инстанции, просто предварительный расчет-прикидка.


и еще пара цифр: Z=0,25 Ома на частоте 2 Гц соответсвует конденсатору 0,32 фарады при автоматическом смещении.
какие есть мнения насчет применимости в катоде силиконового умощненного зенера и электролитической емкости?