(04-03-2016 22:27)PnL писал(а):  Что касается Агеева - это на постсоветском пространстве авторитет #1, но обошел его конструкции осознанно - там нет новизны и разработки велись в основном под совковую элементную базу, а на импорт переводили, подбирая аналоги... Ну Вы понимаете... Здесь же совсем другой подход, хотя школа Агеева тоже присутствует, но разработки Вадима - это иной путь, насколько это возможно в аудиоэлектронике, ну в транзисторной - точно возможно.

Я, бы хотел, конечно увидеть новые разработки Агеева.
Но, к сожалению это уже бизнес и все новое и действительно качественное
в открытом доступе отсутствует.
Старые Агеевские схемы, я бы в расчет вообще не принимал, это все устарело.
Вот, что он пишет сейчас, цитата:

1) конструктивное выполнение, практически убирающее полную (с учетом цепей питания) индуктивность цепей коллекторов и эмиттеров выходных транзисторов, как за счет сокращения длины проводников, так и за счет близости "земель" - то есть сокращения эффективной площади контуров протекания тока.
2) использование достаточного числа выходных, и, главное, предвыходных транзисторов. Эффективная паразитная индуктивность эмиттерных цепей (и, соответственно, выхода УМ до замыкания ООС) при этом снижается в N раз, где N-число транзисторов. Естественно, существует оптимальное их число в зависимости от конструкции и режимов работы, когда этот эффект еще не перекрывается ростом габаритов и суммарных емкостей.
3) использование разброса напряжений база-эмиттер выходных транзисторов для обеспечения плавного переключения плеч одновременно с очень большим суммарным током покоя при малом результирующем сопротивлении параллельно работающих эмиттерных резисторов (изменение выходного сопротивления без ООС при изменении выходного тока и переходе его через нуль не превышает 40-50 миллиом, что обеспечивает собственные искажения выходного каскада на уровне заведомо менее 0,2%, порядка 0.05%, а до 5 Вт - менее 0.02%).
4) обеспечение работы предвыходных транзисторов строго в классе А даже при отработке максимальных скоростей, развиваемых УН.
5) Гарантия отсутствия попадания выходных транзисторов в режим квазинасыщения на пиках сигнала при малом падении напряжения на них за счет небольшого тока, приходящегося на каждый транзистор. "

Как это выглядит в железе, можно только предположить.
Но простыми словами концепция такая.
Схемотехнически ничего нового уже не будет - основной упор переносится на технологию, где печатная плата является частью семы:
- до 12-ти выходных транзисторов в плече,
- драйвер на каждый выходной транзистор,
- МПП и СМД,
- высокое напряжение питания,
- полная симметрия,
- ИБП и тд.
Но это только предположение.