Выбор современной концепции усилителя мощности
|
Автор |
Сообщение |
PnL
Ветеран
    
Откуда: Київ
Сообщений: 3 536
Репутация: 169
|
RE: Выбор современной концепции усилителя мощности / 27-07-2016 15:03
Площадь одной половинки, если считать только геометрическую высоту - 4 015 см2, если "растянуть" волну ребра и считать ее полную высоту, то примерно 5 023 см2, что точнее. Это только одна половинка, на 1 канал надо считать 2 такие половинки. Усь будет работать на нагрузку 8 Ом, но по теплу проектировался так, чтобы спокойно смог и на 4.
Кроме прочего, будет защита, в которой реализовано слежение за температурой радиатора и настраивается лимитер, который вмешивается в работу уся только при достижении определенных граничных величин уровня сигнала.
Я пользовался этим графиком, может кому пригодится:
"По оси X отмечена мощность в Ватах которую рассеивает ваш полупроводниковый елемент а по оси Y необходимая площать радиатора.
Важно! В таблице приведена температура при 0 градусов поетому прибавьте к данному значению тепмературу при которой у вас будет работать устройство например 20 градусов (комнатная температура).
Пример! При мощности которую рассеивает транзистор в 50 Вт, при площади поверхности радиатора 500см2, температура по таблице будет 70 градусов, прибавляем к ней 20 градусов (комнатная температура) и получаем что радиатор будет разогреваться до 90 градусов. Данный расчет приведен для пасивного охлаждения тоесть без обдува радиатора с помощью куллера!"
(Отредактировал 27-07-2016 в 15:19 PnL.)
|
|
|
|
Сообщения в этой теме |
RE: Выбор современной концепции усилителя мощности - PnL - 27-07-2016 15:03
|
Пользователи просматривают эту тему:
|

|