|
|
Технология FDR
|
| Автор |
Сообщение |
Игорь Козарь
Старожил
    
Откуда: Одесса
Сообщений: 76
Репутация: 377
|
RE: Технология FDR / 19-01-2019 17:12
(19-01-2019 17:05)Тибетский Ламер писал(а): Игорь Козарь, ...эмм, пардон, а они, электроны, в ваших кабелях как-то свободно насыпаны, сверх электронов высоких уровней в кристаллической решетке меди? Или надо понимать так - крупнее кристаллы, что-то типа LGC, расстояние для движения электрона увеличивается? То есть положение конкретного электрона в структуре кристаллической решетки и его соседа на высоком/предвысоком уровне не имеет значение? Забежал какой-то пришлый электрон в провод - ииии... погнал вдоль всего кристалла? Пока на его дальней границе не вышибет следующий, который снова погнал по следующему длинному кристаллу до дальней границы?
Руководствовались чем-то подобным?
Отличная ДСТУшная медь Вы, намерены начать научную дискуссию по этому поводу? Я, например, не готов.
Отличный повод Вам проштудировать приведённую мною литературу и ещё сверх того.
Гораздо труднее увидеть проблему, чем найти ее решение. Для первого требуется воображение, для второго - только умение.
Джон Бернал. Английский физик, ХХ в.
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
Пользователи просматривают эту тему: 1 Гость(ей)
|

|