Нужна помощь в доработке интегральника.
|
Автор |
Сообщение |
drlamer
Теоретик
Откуда: Киев
Сообщений: 2 126
Репутация: 119
|
|
|
|
Александр Ю.
Ветеран
Откуда: Киев
Сообщений: 4 410
Репутация: 215
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
AVM
Ветеран
Откуда: Новая Каховка
Сообщений: 3 300
Репутация: 724
|
RE: Нужна помощь в доработке интегральника. / 19-05-2015 23:05
(19-05-2015 22:41)Александр Ю. писал(а): Лучше увеличить ток через Т1 и Т8, уменьшив резисторы в эмиттерах, напряжение на диодах может подрасти, или добавить еще диод. как вы сразу предложили... подстроечник ВМЕСТО диодов. Да нет, так хуже, это изменит режим УН, это во первых, во вторых ток будет протекать через диоды уже заметный - т.е вызванный этим нагрев
их кристаллов, будет сводить к минимуму действие термостабилизации.
(Диоды должны греться теплом кристалла транзистора).
Почему диод и параллельно подстроечник? - это просто - если без диода случайно потеряется контакт в подстроечнике, будет большой бабах , а так.. ну подскочит ток до пол ампера, ну ничего не сгорит.
Вообще, гребанные китайцы, имея интегрированный в кристалл выходника диод, и не использовать возможности для более продвинутой схемотехники
Лучше знать, чем верить.
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
element
Ветеран
Откуда: Харьков
Сообщений: 7 707
Репутация: 1263
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
Выразили согласие: | |
|
groove
Ветеран
Откуда: Харків
Сообщений: 10 186
Репутация: 463
|
RE: Нужна помощь в доработке интегральника. / 20-05-2015 00:13
(19-05-2015 22:26)vd-two писал(а): То ли я ничего не понимаю, то ли китайцы сошли с ума... И чем тут ток покоя регулировать?
маленький рисунок справа
(19-05-2015 23:05)AVM писал(а): Да нет, так хуже, это изменит режим УН, это во первых, во вторых ток будет протекать через диоды уже заметный - т.е вызванный этим нагрев
их кристаллов, будет сводить к минимуму действие термостабилизации.
(Диоды должны греться теплом кристалла транзистора).
Почему диод и параллельно подстроечник? - это просто - если без диода случайно потеряется контакт в подстроечнике, будет большой бабах , а так.. ну подскочит ток до пол ампера, ну ничего не сгорит.
Вообще, гребанные китайцы, имея интегрированный в кристалл выходника диод, и не использовать возможности для более продвинутой схемотехники
китайци не причём, эта схема рекомендована конторой производителем вых пар, они повторили и все
(Отредактировал 20-05-2015 в 00:16 groove.)
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
ms142
Ветеран
Откуда: Киев
Сообщений: 2 197
Репутация: 362
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
Выразили согласие: | |
|
vd-two
Ветеран
Откуда: Мариупол-Хмельницки
Сообщений: 3 296
Репутация: 574
|
RE: Нужна помощь в доработке интегральника. / 20-05-2015 10:12
(20-05-2015 01:42)leosoft писал(а): Изменение сопротивления R 635,R639 к моему удивлению слабо влияет на ТП.Изменял R+- 50%.
Похоже D605-609 и задают ТП.Перемыкал один,ТП уменьшается в 2 раза. Я уже написал выше - китайцы идиоты.
Резисторы на ток покоя влиять никак не могут, потому что цепочки встроенных диодов закрыты. Ток покоя задается D605-609 и это неправильно.
Что нужно сделать.
1. Проверить падение напряжения на R613 (621) которые по 390ом. Должно быть около вольта (0.975 В), что соответствует току около 2.5 мА, это даташитное значение для SAPов. Если китайцы дважды идиоты - подкорректировать резисторы.
2. D605-609 - выпаять.
5. На место R635 и R637 подстроечные резисторы на 200 Ом. Ими выставить ток покоя для каждой пары транзисторов.
Потом можно подумать про конденсаторы и прочие красивые детальки.
(Отредактировал 20-05-2015 в 10:26 vd-two.)
|
|
|
|
Выразили согласие: | AVM |
|
AntonZP
Ветеран
Откуда: Příbram
Сообщений: 8 764
Репутация: 364
|
|
|
|
ms142
Ветеран
Откуда: Киев
Сообщений: 2 197
Репутация: 362
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
Выразили согласие: | |
|
Yuri S
Специалист
Откуда: Харьков
Сообщений: 11 204
Репутация: 909
|
|
|
|
Выразили согласие: | |
|
Выразили согласие: | |
|
Выразили согласие: | |
|
Пользователи просматривают эту тему: 1 Гость(ей)
|
|